삼성전자 황창규 사장, 앤디 그로브賞 수상

  • 등록 2006.12.13 12:33:16
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삼성전자 황창규 社長이 세계 최고의 반도체 기술 名人으로 선정됐다.

 

황사장은 12일 (미 현지시각) 美 샌프란시스코 힐튼호텔에서 열린 IEEE 산하 2006 IEDM (IEEE International Electronic Devices Meeting) 학회 오찬 행사에서 세계 전기·전자분야 최고권위 단체인 IEEE 이사회가 수여하는 '2006 IEEE 앤디 그로브 賞'을 수상했다. '편집광만이 살아 남는다 (Only the Paranoid Survives)'는 책의 著者로도 유명한 앤디 그로브는 인텔의 창업자다.


이 賞은 2000년 이후 IEEE가 세계 반도체 및 관련 분야에서 혁신적인 발전에 기여한 인사에게 수여해 온 반도체 기술분야 세계 최고 권위의 賞으로, IEEE Fellow 에게만 수상 자격이 주어진다.


황사장은 지난 2002년 또 하나의 반도체 메이저 학회인 ISSCC 총회 기조 연설時 IEEE Fellow로 被選된 바 있으며, 황사장의 이번 수상은 반도체 전공의 미 스탠포드 大 및 MIT 大 교수, 팻 겔싱어 인텔 CTO 등 반도체 학계 및 업계 저명 인사들의 추천으로 이루어졌는데, 특히, 세계 반도체 1위 기업이자 이 상의 후원사인 인텔이 황사장을 추천했다는 점은 주목할 만 하다.


이제까지 이 賞을 수상한 사람은 총 6명으로, 대부분 著名 學者들이다. 기업인으로는 이 賞 후원사인 인텔 Senior Fellow인 마크 보어(Mark Bohr)가 유일하며, 동양계 기업인으로는 황사장이 最初이며, 이 賞이 이제까지는 대체로 학자들에게 주어졌다는 점에서, 이번 受賞을 계기로 황사장은 경영과 기술 두 분야 모두를 아우르는 반도체 업계의 진정한 名人으로 평가받았다.


이번 시상식에는 약 2000명에 달하는 IEDM 학회 소속 회원을 비롯, 세계 각국 저명 학자, 반도체 업계 관계자 등 총 3000 여명이 참석했으며, 이 자리에서 IEEE CEO 인 클레온 앤더슨 (W.Cleon Anderson,P.E.)은 多數의 혁신적인 메모리 반도체 개발로 세계 반도체 산업 발전에 커다란 足跡을 남긴 황사장에게 이 賞을 수여하게 되어 영광이라고 밝혔다.


이에 황사장은, "2002년 ISSCC 학회 기조연설에서 선언한 모바일 및 디지털 컨수머, 그리고 퓨전으로 대표되는 반도체의 새로운 패러다임은 이제 큰 흐름이 되었다. IEDM 기조연설에서도 제시했듯, 모바일과 디지털 컨수머가 주도한 IT 이후는 IT,BT,NT 등 거대 산업間 융복합이 이루어지는 FT (Fusion Technology) 시대로 들어설 것으로 보이는데, 이 시대에도 반도체가 여전히 핵심 역할을 하게 될 전망이다. 오늘 이 賞의 의미를 미래의 '메가 트렌드'에 새롭게 챌린지하라는 채찍으로 이해하고 있다. 앞으로도 세계 반도체 산업 발전을 위해 최선을 다할 것을 이 자리를 빌어 다시 한번 다짐한다" 며 수상 소감을 밝혔다.


황사장은 대학 시절 앤디 그로브의 'Physics & Technology of Semiconductor'라는 책에 심취하면서 반도체에 평생을 걸기로 한 것으로 알려져 있으며, 이번 受賞은, 多數의 차세대 혁신 메모리 제품 개발 성공, 메모리 신성장론 제시 및 7년 연속 입증, 세계 유수 대학 (하버드, 케임브리지, MIT, 스탠포드, UC 버클리, 북경대) 에서의 반도체 미래기술 관련 특강 等 반도체 산업 발전을 위한 다양한 공헌은 물론, 세계 메이저 반도체 학회 (ISSCC, IEDM, VLSI) 에서의 논문 심사 等 왕성한 활동 및 기조 연설 等을 통한 반도체 미래방향 제시에 대한 공로를 인정받은 것으로 평가된다.


황사장은 지난 1994년 세계 최초 256Mb D램 개발로 '95년 D램 중흥기의 기반을 마련했으며, 1999년 256메가 낸드 플래시 개발을 시작으로 올해 CTF 혁신 기술을 적용한 40나노 32기가 낸드 플래시 개발에 이르기까지 7년 연속 매년 두배씩 메모리 용량을 증가시켜 온데 기여했으며, 특히 '메모리 신성장론'으로 불리우는 이 이론은 기존 무어의 법칙을 다시 쓰고 있어 업계에 커다란 반향을 일으키고 있다.


황사장이 올해 CTF 기술 기반 40나노 32기가 낸드 플래시는 과거 35년간 사용되던 '플로팅 게이트' 방식의 개념을 뒤엎는 혁신적인 'Breakthrough Technology' 로 앞으로 다가올 테라 시대의 해법을 최초로 제시했다.


지난해 황사장은 美 전자업계 최상위기관인 美전자산업협회(EIA: Electronic Industries Alliance) 로부터 세계 전자산업에 기여한 공로를 인정받아 미국인이 아닌 인사로는 최초로 'EIA 기술 리더상 (The EIA Leadership in Technology and Innovation Award)'을 수상한 바 있는데, 올해 또 다시 반도체 최고 기술 名人에게 수여되는 '앤디 그로브賞'을 수상, IT 산업 심장부인 미국 본토에서 2년 연속 전자 및 반도체 분야 세계 최고 권위의 賞을 받게 됐다.


이는 황사장 개인의 영광이기도 하겠지만, 한국 과학기술의 位相을 한 차원 높였다는 데 더욱 큰 의의가 있다는 평가다. 

정재필 기자
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