저항성 메모리(ReRAM)가 플래쉬메모리를 대체할 새로운 차세대 비휘발성 메모리 기술로 급속히 부상하고 있다. 저항성 메모리는 메모리 셀 내의 박막형태로 구현되는 저항성 물질에 전기적 신호를 인가하여 해당 물질의 저항을 변화시킴으로써 데이터를 기록하는 비휘발성 메모리 기술이다.

컴퓨터 및 PDA 등의 데이터 저장 장치로서 사용되는 DRAM, USB 메모리에 탑재되어 사용자의 휴대성을 제공하는 플래시메모리는 우리의 생활에 없어서는 안 될 필수품이다. DRAM은 휘발성 메모리로 전원공급이 차단되면 저장되어 있던 데이터가 모두 소멸해버리는 것에 반해 플래시메모리는 비휘발성 메모리로 전원공급이 차단되더라도 저장된 데이터가 그대로 유지된다.

현재까지 알려진 차세대 비휘발성 메모리 기술은 자기 메모리(MRAM), 강유전체 메모리(FeRAM), 상변화 메모리(PRAM), 저항성 메모리(ReRAM) 등이 있다. 이들 메모리 중에서 상변화 메모리가 상용화에 가장 근접한 차세대 비휘발성 메모리 기술로 평가되어 왔으나, 집적도를 크게 향상시키기 어려운 문제로, 최근에는 단순한 메모리 셀 구조에 의해 집적도를 크게 높일 수 있는 저항성 메모리(ReRAM) 기술이 새로운 대안으로 급속히 부상하고 있다.

특허청(청장 전상우)에 따르면, 저항성 메모리 관련 특허출원은 2003년 6건이 출원된 것을 시작으로, 2004년 13건, 2005년 41건, 2006년 46건, 2007년 60건의 가파른 증가추세를 보이고 있다(붙임1 참조). 특히, 2003년까지 내국인에 의한 특허출원이 전혀 없었으나, 2007년에는 40건(점유율 67%)이 내국인에 의해 특허출원 됨으로써 저항성 메모리 관련 국내 연구가 세계를 선도하는 기술 수준으로 올라서고 있는 것으로 나타났다.

특히 주목할 만한 점은, 원천 기술 확보가 미흡했던 DRAM, 플래시메모리 등의 기존 메모리 분야에 비하여, 2006년 내국인에 의해 출원된 34건의 저항성 메모리 관련 특허출원서를 분석결과, 80%에 이르는 27건이 원천 기술과 관련된 것이다.

이는 2004년도부터 정부가 ‘차세대 테라바이트급 비휘발성 메모리’의 원천 기술 확보를 위해 적극 지원에 나선 결과에 따른 것으로 보이며, 얼마 전 삼성전자와 하이닉스반도체가 차세대 비휘발성 메모리 사업단과의 협약식을 통해 차세대 비휘발성 메모리분야의 기술개발에서도 적극적인 산학연 공조체제를 갖추기로 함에 따라, 국내 연구진에 의한 관련 특허출원은 더욱 증가할 것으로 예상된다.